반도체소자 신뢰성 시험과 국내유일의 저주파노이즈
시험분석으로 센서의 성능을 높여주는 전문기업
한국센서연구소Korea Sensor Lab.


    신뢰성 시험 분석

    시험규격

    시험방법 표준명
    JESD22-A101C Steady State Temperature Humidity Bias Life Test
    JESD22-A104D Temperature Cycling
    JESD22-A106B Thermal Shock
    JESD22-A108D Temperature, Bias, and Operating Life
    JESD22-A119 Low Temperature Storage Life

    장비

    Thermal Shock Chmaber Temperature&Humidity Chamber Agilent 4070

    저주파 노이즈 시험 평가

    시험규격

    시험방법 표준명
    JESD354 The Measurement of Transistor Equivalent Noise Voltage
    and Equivalent Noise Current at Frequencies of up to 20 KHz
    5989-9087EN Proposed System Solution for 1/f Noise Parameter Extraction

    공정서비스

    ALD(Atomic Layer Deposition)

    • Available Materials : Al2O3, ZnO, AZO 등
    • 시편 크기: Wafer(8인치 이하)
    • 반도체 소자의 크기 감소에 따라 반도체 소자에 사용되는 Gate Dielectric의 두께가
      1 Å 내외의 정확도로 두께를 조절하는 수준 필요
    • 매우 정밀하게 두께를 조절하면서 다양한 종류의 유전체를 증착할 수 있는 방법이
      ALD(Atomic Layer Deposition) 방법
    • 자사에서는 다양한 종류의 유전체 증착이 가능

    RF Magnetron Sputter

    • Available Materials: Ni, TiN, Co, Ti, Al, Pd, ZnO, Er, Yb, Al2O3, SiO2
    • 시편크기: Wafer(8인치 이하)
    • 초고진공(1x10-7 torr)에서 다양한 박막을 Magnetron(RF/DC) 스퍼터 증착 가능
    • 4개의 Gun에 각기 다른 Target을 장착하여 Co-sputtering도 가능

    Furnace

    • 시편크기: Wafer(8인치 이하)
    • 이온주입에 의한 도펀트의 활성화 및 격자손상을 복구하는데 사용
    • 제작된 소자나 박막 등이 고온에서 특성 변화 발생하는지 분석
    • 최고 1000 ℃까지 Rapid Thermal Process(RTP)/Rapid Thermal Oxidation(RTO) 공정가능
    • Nickel Silicide 등의 형성을 위해서도 사용
    • Furnace를 이용하여 고순도 기체(N2, O2 등) 및 H2 Forming Gas 등을 이용하여
      대기압에서 열처리 진행.


    RTP

    • 시편크기: Wafer(3인치 이하)

    고온/고압 Annealing Machine

    • 온도 범위 : ~ 600 ℃
    • 기압 범위 :저진공~ 10 atm
    • 시편크기: Wafer(8인치 이하)
    • 고온 및 고압에서 열처리를 함으로써 반도체 소자의 특성 개선을 위하여 사용
    • 고순도 N2기체 및 H2 Forming Gas 등을 이용하여 고압에서 열처리 진행

    Aligner

    • 칩 위에 다층으로 형성된 산화막이나 금속층을 원하는 패턴으로 형성하기 위하여 사용되는 공정
    • Photoresist(PR)를 Spin Coating을 통해 고르게 도포 후 제작된 마스크 원판을 이용하여
      빛을 조사하여 PR의 결합성을 변화시킴.
    • Developer를 이용하여 제거함으로써 패턴을 형성.
    • 형성된 PR Pattern을 이용하여 Etching 또는 Lift-off 공정을 진행함으로써 산화막이나
      금속층을 원하는 형태로 제작.

    소자분석서비스

    전기적 특성 분석

    • 온도 범위 : 상온 ~ 200 ℃
    • 전압 범위 : -2000 V ~ 2000 V
    • 전류 범위 : 10 fA ~ 10 A

    캐패시턴스/인덕턴스 측정 분석

    • 온도 범위 : 상온 ~ 200 ℃
    • 전압 범위 : -40 V ~ 40 V
    • 주파수 범위 : 40 Hz ~ 1 MHz

    메모리 소자 측정 분석

    • 온도 범위 : 상온 ~ 200 ℃
    • 전압 범위 : -200 V ~ 200 V
    • Write/Erase time : 10 ns ~ 1 s