반도체소자 신뢰성 시험과 국내유일의 저주파노이즈
시험분석으로 센서의 성능을 높여주는 전문기업
한국센서연구소Korea Sensor Lab.


    반도체

    • 1. 반도체 Chip의 대기 전력 소모가 갑자기 증가한 경우

       제작된 반도체 Chip의 대기 전력 소모량이 갑자기 증가한 불량이 발생
       소자의 특성 검증 : 이상 없음
       동작 중에 대기 전력 증가 : Stress에 의한 소자 특성 열화 검증
       Stress에 따른 소자 특성 검증 : Stress에 따라 Hump 현상 발생 확인
       Hump 현상 발생에 따라 Off 전류 증가 확인
       대기 전력 증가 원인 파악

    • 2. 반도체 Chip의 성능이 감소한 경우

       반도체 Chip의 성능 감소 불량 발생
       소자의 특성 검증 : 이상 없음
       PMOS 소자의 신뢰성 검증 : NBTI에 의한 소자 특성 열화 의심
       NBTI 신뢰성 특성 검증 : NBTI Lifetime 추출
       NBTI Lifetime이 매우 감소한 것 확인
       반도체 Chip의 성능감소 원인 파악

    • 3. 아날로그 반도체 Chip의 성능 불량 발생

       아날로그 반도체 Chip의 성능 감소 불량 발생
       소자의 특성 검증 : 이상 없음
       아날로그 특성 열화 : 저주파 노이즈 증가 의심
       RTS Noise 평가 : RTS Noise 발생 확인
       RTS Noise에 의한 드레인 전류 변화율 증가 확인
       RTS Noise의 증가로 인한 아날로그 회로 성능 감소 확인
       아날로그 반도체 Chip의 불량 원인 파악

    • 4. 아날로그 회로/Chip용 저항(Resistor)의 Flicker Noise 평가

       아날로그 반도체 회로에 사용되는 저항의 저주파 노이즈 특성 평가
       저항의 DC 특성 검증 : 이상 없음
       아날로그 특성 열화 가능성 : 저주파 노이즈 평가 필요성 대두
       Flicker Noise(1/f Noise) 평가 : Flicker Noise 발생 확인
       저주파 영역( < 100 kHz)에서 Thermal Noise보다 큰 Flicker Noise 확인
       저항의 Flicker Noise에 의한 아날로그 회로의 성능 저하 가능성 확인
       저항의 Flicker Noise감소 대책 필요성 파악

    • 5. 반도체 소자의 Hot Carrier신뢰성 개선

       반도체 소자의 Hot Carrier 불량 발생(Wafer 1)
       소자의 특성 검증 : 이상 없음
       Hot Carrier 신뢰성 개선 공정 제안(Wafer 2)
       공정 적용 후 Hot Carrier 신뢰성 평가
       Hot Carrier Lifetime이 Spec보다 커짐을 확인
       Hot Carrier 신뢰성 불량 해결

    • 6. 캐패시터의 신뢰성 평가

       캐패시터의 신뢰성 문제 발생 가능성 조기 파악 필요성 대두
       캐패시터의 동작 특성 평가 : 전압-전류 특성 측정
       25 V까지 안정된 특성 : 이상 없음
       신뢰성 평가 : 전압 Stress(TDDB) 평가
       신뢰성 평가 결과 : Lifetime이 0.35년으로 Spec 대비 매우 낮게 파악
       신뢰성 개선 조치 시행하여 문제 발생 조기 차단

    • 7. 후공정 배선의 RF 특성 평가

       Interconnection/Package에 의해 고속 동작하는 Chip 성능 감소 가능성 파악 필요성 대두
       Interconnection/Package에 의한 인덕턴스 성분 파악 필요
       RF Test Pattern 구현
       제작 후 RF 특성 측정(S-Parameter)
       RLC Modeling 진행하여 동작 속도에 미치는 영향 Simulation
       인덕턴스를 추출하여 Chip 성능에 미치는 영향 파악