반도체소자 신뢰성 시험과 국내유일의 저주파노이즈
시험분석으로 센서의 성능을 높여주는 전문기업
한국센서연구소Korea Sensor Lab.


    • 반도체 소자 신뢰성 불량 분석
    • 캐패시터/저항/인덕터 불량 분석
    • 계면 불량 분석
    • 메모리 소자 불량 분석
    

    반도체 소자 신뢰성 불량 분석

    • 반도체 회로나 Chip을 개발하기 위해서는 반도체 소자의 선행 개발이 필수.
    • 반도체 소자는 다양한 항목의 Spec을 만족시켜야 하며 한가지 Spec이라도 만족시키지 못하는 경우에는 소자 개발 불가능.
    • 소자 개발 시에 문제가 발생하였을 경우 신속한 원인 파악이 이루어지지 못하면 제품 출시 지연 등으로 시장 진입이 늦어져서 큰 손해를 보게 됨.
    • 개발 과정에서 모든 Spec을 만족시켰다 하더라도 양산 중에 문제가 발생할 수 있으며 이 때 역시 신속한 원인 파악이 바로 이루어지는 것이 매우 필요.
    • 자사는 다년간의 소자 개발 경험을 바탕으로 소자의 다양한 항목의 불량 분석에 많은 Know-how를 보유하고 있음.
    • 반도체 소자의 신뢰성 불량 분석 : Hot Carrier, NBTI, PBTI 등에 의한 소자 열화 원인 분석.
    • Gate Oxide의 불량 분석 : GOI(Gate Oxide Integrity) 분석.
    • 계면 불량 분석 : Charge Pumping Current 분석.
    • Silicide 불량 분석 : Schottky Barrier Height 분석 등을 통한 Silicide 특성 분석.
    • Junction Leakage 불량 분석 : Source/Drain Junction의 Leakage Current Conduction Mechanism 분석, GIDL Current 분석 등.
    

    캐패시터/저항/인덕터 불량 분석

    • 반도체 회로 또는 Chip에 다양하게 쓰이는 캐패시터, 저항, 인덕터 등의 불량 분석이 가능.
    • 캐패시터인 경우에 불량이 발생하는 경우 Dielectric 특성 분석이 필수적임.
    • Dielectric의 수명을 TDDB 분석을 통해 예측이 가능.
    • 저항이나 인덕터의 경우에는 전류 구동 능력, 고온 동작 등을 통한 수명 예측 실시.
    

    계면 불량 분석

    • 반도체 소자에서는 반도체 물질과 Gate Dielectric과의 경계면에서 많은 결함 발생.
    • Dangling Bond인 경우에는 Hydrogen Anneal을 통해 Passivation을 시켜서 Dangling Bond가 비활성화 되도록 함.
    • 소자 동작 중에 Si-H Bond가 깨져서 Dangling Bond가 형성됨.
    • 소자 제작 공정의 불완전성에 의해 Dangling Bond가 형성되기도 함.
    • 이러한 계면의 불량 현상을 Multifrequency and Multitemperature Charge Pumping Technique 등과 같은 고유한 방법을 포함한
      다양한 방법을 통해 불량 분석을 진행.
    

    메모리 소자 불량 분석

    • 메모리 소자는 지속적으로 Program 및 Erase의 동작이 발생
    • 메모리 소자의 불량이 발생하는 경우 메모리 소자의 Stress에 의한 효과, Noise 발생 등 다양한 분석을 통해 원인 파악