반도체소자 신뢰성 시험과 국내유일의 저주파노이즈
시험분석으로 센서의 성능을 높여주는 전문기업
한국센서연구소Korea Sensor Lab.


    

    Blanket Wafer Service

    • 새로운 재료나 물질, 공정, 장비의 성능을 평가하기 위한 Test Wafer 제공.
    • ALD Films : HfO2, HfSiO2, SiN, SiO2, Ta2O5, Al2O3, etc
    • Sputter Films : Ti, TiN, Co, Ni, Pd, Ta, W, Al, Pt, Pd, Hf, HfO2, etc

    Patterned Wafer Service

    • 미세 Pattern에서 새로운 재료나 물질, 공정, 장비의 성능을 평가하기 위한 Test Wafer 제공
    • 국내외 Networking을 통해 고객이 요구하는 구조의 Patterned Wafer 제공
    

    ALD(Atomic Layer Deposition) 증착

    • 반도체 소자의 크기 감소에 따라 반도체 소자에 사용되는 Gate Dielectric의 두께가 1 Å 내외의 정확도로 두께를 조절하는 수준 필요.
    • 매우 정밀하게 두께를 조절하면서 다양한 종류의 유전체를 증착할 수 있는 방법이 ALD(Atomic Layer Deposition) 방법.
    • 자사에서는 다양한 종류의 유전체 증착이 가능.
    

    Sputter 증착

    • 초고진공(1x10-7 torr)에서 다양한 박막을 Magnetron(RF/DC) 스퍼터 증착 가능.
    • 4개의 Gun에 각기 다른 Target을 장착하여 Co-sputtering도 가능.
    

    산화막 형성

    • SiO2를 고순도 산소(O2) 기체를 이용한 건식 열산화 방법을 이용하여 형성.
    • Wet Cleaning을 통하여 자연 산화막 및 오염물질을 제거한 후 산소 분위기에서 Oxidation 진행 .
    

    Furnace/RTP Annealing

    • 이온주입에 의한 도펀트의 활성화 및 격자손상을 복구하는데 사용.
    • 제작된 소자나 박막 등이 고온에서 특성 변화 발생하는지 분석.
    • 최고 1000 ℃까지 Rapid Thermal Process(RTP)/Rapid Thermal Oxidation(RTO) 공정이 가능.
    • Nickel Silicide 등의 형성을 위해서도 사용.
    • Furnace를 이용하여 고순도 기체(N2, O2 등) 및 H2 Forming Gas 등을 이용하여 대기압에서 열처리 진행.
    

    고온 고압 Annealing

    • 고온 및 고압에서 열처리를 함으로써 반도체 소자의 특성 개선을 위하여 사용.
    • 고순도 N2기체 및 H2 Forming Gas 등을 이용하여 고압에서 열처리 진행.
    

    Photo-lithography

    • 칩 위에 다층으로 형성되는 산화막이나 금속층을 원하는 Pattern으로 형성하기 위하여 사용되는 공정.
    • Photoresist(PR)를 Spin Coating을 통해 고르게 도포한 후 제작된 마스크 원판을 이용하여 빛을 조사하여 PR의 결합성을 변화시킴.
    • Developer를 이용하여 제거함으로써 Pattern을 형성.
    • 형성된 PR Pattern을 이용하여 Etching 또는 Lift-off 공정을 진행함으로써 산화막이나 금속층을 원하는 형태로 제작.