반도체소자 신뢰성 시험과 국내유일의 저주파노이즈
시험분석으로 센서의 성능을 높여주는 전문기업
한국센서연구소Korea Sensor Lab.


  • 국제공인 시험기관

    KOLAS(Korea Laboratory Accreditation Scheme) 개요

    • 산업체나 기관이 국제기준(ISO/IEC 17025)에 따른 시험 또는 교정능력이 있음을 공인하는 제도
    • 외국과 상호인정협정을 통하여 우리나라 KOLAS 인정기관이 발행하는 성적서의 신뢰성을 국제적으로 인정
    • ILAC(International Laboratory Accreditation Cooperation), APLAC(Asia-Pacific Laboratory Accreditation Cooperation) 등
      국제기구의 MRA(Mutual Recognition Arrangement)에 서명 및 비교숙련도 시험에 참가

    국제공인시험기관 활용의 효과

    • TBT(Technical Barries to Trade)협정에 따른 MRA로 KOLAS 성적서는 세계 모든 곳에서 통용되므로 선진국의 기술규제의 영향을 받지 않습니다.
    • One Test, Accepted Everywhere 원칙에 따라 수출에 수반될 수 있는 중복시험이 배제되고 절차의 간소화로 수출비용이 절감됩니다.
    • 국가적으로 공인된 시험성적서 사용으로 측정의 신뢰도가 향상되고 궁극적으로 제품 품질 향상과 원가절감이 가능합니다.
    • 제품성능향상을 위해 필요한 정확도를 보장받을 수 있습니다.
    • 건강, 안전 및 환경보호를 위한 법적 요구사항을 충족시킨다는 근거를 제공할 수 있습니다.
    • 기업의 이미지가 향상되며 공급자 자격획득이 수월하여집니다.

    KOLAS 인정체계

    한국인정기구(KOLAS; Korea Laboratory Accreditation Scheme)는 1992년 12월 국가표준기본법의 관련규정에 따라 기술표준원 내에 정부기구로 설치되었습니다. KOLAS는 설립이래 국제기준에 부합하는 인정제도 확립에 노력하여 1998년 10월 APLAC MRA에 서명하고, 2000년 11월 ILAC MRA에 서명하여 국제적인 공인기구로 활동하고 있습니다. 한국센서연구소는 2014년 2월 KOLAS 시험기관으로 공인되었으며 Hot Carrier 등 전기 신뢰성시험분야에서 국가공인시험을 실시하고 있습니다.

    KOLAS 인정분야

    규격번호 규격명 시험범위 또는 검출한계
    JESD28-A:2001 Procedure for Measuring N-Channel MOSFET Hot-Carrier-Induced Degradation Under DC Stress -200 V ∼ +200 V
    -1 A ~ +1 A
    JESD90:2004 A Procedure for Measuring P-Channel MOSFET Negative Bias Temperature Instabilities -200 V ∼ +200 V
    -1 A ~ +1 A
    JESD92:2003 Procedure for Characterizing Time- Dependent Dielectric Breakdown of Ultra-Thin Gate Dielectrics -200 V ∼ +200 V
    -1 A ~ +1 A
    TTAK.KO-10.0456 적외선 센서용 볼로미터 박막의 성능 평가 방법 : Part 1. 저항온도계수
    Evaluation method of bolometer film for infrared sensor: Part 1. Temperature Coefficient of Resistance
    전압극성 : DC Only
    온도 : 25 ℃ ~ 175 ℃
    전압범위 : -200 V ~ +200 V
    전류범위 : -1 A ~ +1 A
    TTAK.KO-10.0457 적외선 센서용 볼로미터 박막의 성능 평가 방법 : Part 2. 1/f 잡음
    Evaluation method of bolometer film for infrared sensor: Part 2. 1/f noise
    주파수 : 1 Hz ~ 100 kHz
    전압범위 : -200 V ~ +200 V
    전류범위 : -1 A ~ +1 A
    JESD60A A Procedure for Measuring P-Channel MOSFET Hot-Carrier- Induced Degradation Under DC Stress 전압극성 : DC Only
    전압범위 : -200 V ~ +200 V
    전류범위 : -1 A ~ +1 A
    JEP159 A Procedure for the Evaluation of Low-k/Metal Inter/Intra-Level Dielectric Integrity 전압극성 : DC Only
    전압범위 : -200 V ~ +200 V
    전류범위 : -1 A ~ +1 A
    MIL-STD-750-3: 2012 Test Method Standard Transistor Electrical Test Methods for Semiconductor Devices


    <시험가능 범위 >
    Part 3: Test Methods 3000 Through 3999
    3001.1 Breakdown Voltage, Collector-to-Base
    3005.1 Burn Out by Pulsing
    3011.2 Breakdown Voltage, Collector-to-Emitter
    3026.1 Breakdown Voltage, Emitter-to-Base
    3051 Safe Operating Area (Continuous DC)
    3401.1 Breakdown Voltage, Gate-to-Source
    3403.1 Gate-to-Source Voltage or Current
    3404 MOSFET Threshold Voltage
    3407.1 Breakdown Voltage, Drain-to-Source
    3411.1 Gate Reverse Current
    3413.1 Drain Current
    3415.1 Drain Reverse Current
    3421.1 Static Drain-to-Source On-State Resistance
    전압극성 : DC Only
    전압범위 : -1 000 V ~ +1 000 V
    전류범위 : -2 A ~ +2 A

    (3005.1인 경우
    전압구동 : Pulse
    Pulse 전압범위 : -40 V ~ +40 V
    Pulse 주기범위 : 2 μs ~ 2 s)
    MIL-STD-750-4: 2012 Test Method Standard Diode Electrical Test Methods for Semiconductor Devices


    <시험가능범위>
    Part 4: Test Methods 4000 Through 4999
    4011.4 Forward Voltage (3.2 Pulse method 제외)
    4016.4 Reverse Current Leakage
    4021.2 Breakdown Voltage (Diodes)
    4076.1 Saturation Current
    4141.1 Burnout By Repetitive Pulsing
    전압극성 : DC Only
    전압범위 : -1 000 V ~ +1 000 V
    전류범위 : -2 A ~ +2 A

    (4141.1인 경우
    전압구동 : Pulse
    Pulse 전압범위 : -40 V ~ +40 V
    Pulse 주기범위 : 2 μs ~ 2 s)
    JESD22-A108D: 2010 Temperature, Bias, and Operating Life 온도: -70 ℃ ~ +500 ℃
    습도: (0, 10 ~ 95) % R.H.
    JESD22-A101D: 2015 Steady State Temperature Humidity Bias Life Test 온도: -70 ℃ ~ +180 ℃
    습도: (0, 10 ~ 95) % R.H.
    JESD22-A103E: 2015 High Temperature Storage Life 온도: -70 ℃ ~ +500 ℃
    습도: (0, 10 ~ 95) % R.H.
    JESD22-A119A: 2015 Low Temperature Storage Life 온도: -70 ℃ ~ +180 ℃
    습도: (0, 10 ~ 95) % R.H.
    JESD22-A104E: 2014 Temperature Cycling 온도: -65 ℃ ~ +150 ℃
    TTAK.KO-10.804: 2015 정보통신용 저항기의 주기적 전압 펄스에 의한 저항값의 변화량 평가 방법 Pulse 전압범위: -40 V ~ +40 V
    Pulse 주기범위: 2 μs ~ 2 ms
    TTAK.KO-10.803: 2015 반도체 소자의 1/f 잡음평가 방법 주파수: 1 Hz ~ 100 kHz
    전압범위: -200 V ~ +200 V
    전류범위: -1 A ~ +1 A
    MIL-STD-202G: 2002 Department of Defense Test Method Standard Transistor Electrical Test Methods for Semiconductor Devices

    <시험가능 범위 >
    Class 100 Environment Test
    103B Humidity (steady state)
    106G Moisture resistance
    107G Thermal shock

    <시험가능 범위 >
    Class 300: Electrical Characteristics Test
    303A DC resistance
    304 Resistance temperature characteristics
    305A Capacitance
    306 Quality factor
    309 Voltage coefficient of resistance determination procedure
    Class 100 Environment Test
    온도: -70 ℃ ~ +500 ℃
    습도: (10 ~ 95) % R.H.

    Class 300: Electrical Characteristics Test
    전압범위: -1 000 V ~ +1 000 V
    전류범위: -10 A ~ +10 A
    정전용량 범위: 1 pF ~ 9.9999

    * JEDEC은 50년 넘게 국제적 수준의 마이크로 전자공학 관련 규격과 저작물을 개발하여 온 기관입니다. JEDEC 위원회는 광범위한 기술분야에서 국제수준의 규격을 개발함에 있어 산업계의 선도적 역할을 수행하고 있습니다.

    KOLAS 마크 및 인정서